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BZX55C4V7-TAP
器件3D模型
0.017
BZX55C4V7-TAP 数据手册 (10 页)
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BZX55C4V7-TAP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
容差
±5 %
封装
DO-35-2
额定功率
0.5 W
针脚数
2 Position
正向电压
1.5V @200mA
功耗
500 mW
测试电流
5 mA
稳压值
4.7 V
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
0.5 W

BZX55C4V7-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
3.9 mm
宽度
1.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

BZX55C4V7-TAP 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
10 页 / 0.51 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.09 MByte

BZX55C4V7 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
BZX55C4V7 袋装
Fairchild(飞兆/仙童)
系列半瓦齐纳二极管 Series Half Watt Zeners
先科ST(先科)
稳压二极管 BZX55C4V7 4.7V 0.5W(500mW) DO-35
Vishay Semiconductor(威世)
硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
ON Semiconductor(安森美)
VISHAY(威世)
硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX55-C4V7.  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
Good-Ark Electronics(固锝)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
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