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BZX85C12-TAP
0.038
BZX85C12-TAP 数据手册 (10 页)
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BZX85C12-TAP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
容差
±5 %
封装
DO-41
额定功率
1.3 W
击穿电压
12.0 V
针脚数
2 Position
功耗
1.3 W
测试电流
20 mA
稳压值
12 V
额定功率(Max)
1.3 W
工作温度(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
1.3 W

BZX85C12-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
4.1 mm
宽度
2.6 mm
高度
2.6 mm
工作温度
175 ℃

BZX85C12-TAP 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
10 页 / 0.24 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte

BZX85C12 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85C12  齐纳二极管
ON Semiconductor(安森美)
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
ON Semiconductor(安森美)
齐纳二极管
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
稳压二极管 12 Volt 1.3 Watt 5%
Good-Ark Electronics(固锝)
Vishay Semiconductor(威世)
硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
Microsemi(美高森美)
Vishay Semiconductor(威世)
齐纳二极管 ZENER DIODES
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