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CL32A226KQJNNNE
器件3D模型
0.083
CL32A226KQJNNNE 数据手册 (2 页)
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CL32A226KQJNNNE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
6.30 V
电容
22 µF
容差
±10 %
封装(公制)
3225
封装
1210
电介质特性
X5R
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
6.3 V

CL32A226KQJNNNE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
X5R/-55℃~+85℃
长度
3.2 mm
宽度
2.5 mm
高度
2.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 85℃
最小包装数量
2000

CL32A226KQJNNNE 数据手册

Samsung(三星)
2 页 / 0.3 MByte
Samsung(三星)
2 页 / 0.07 MByte
Samsung(三星)
160 页 / 4.82 MByte

CL32A226 数据手册

Samsung(三星)
Samsung 1210 MLCC 系列卷装### 1210 系列
Samsung(三星)
Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列
Samsung(三星)
CL32系列 1210 22 uF 16 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
1210 22 uF 10 V ±10% 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL32 系列 22 uF 25 V ±20% 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL32 系列 1210 22 uF 6.3 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL32 系列 1210 22 uF 16 V ±10% 容差 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列
Samsung(三星)
CL32 系列 1210 22 uF 6.3 V 20 % X5R SMD 多层陶瓷电容
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