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Datasheet 搜索 > 电容 > Samsung(三星) > CL32B475KCVZNWE Datasheet 文档
CL32B475KCVZNWE
器件3D模型
0.216
CL32B475KCVZNWE 数据手册 (129 页)
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CL32B475KCVZNWE 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
100 V
电容
4.7 µF
容差
±10 %
封装(公制)
3225
封装
1210

CL32B475KCVZNWE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
X7R/-55℃~+125℃
长度
3.2 mm
宽度
2.5 mm
高度
2.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃
最小包装数量
1000

CL32B475KCVZNWE 数据手册

Samsung(三星)
129 页 / 8.5 MByte

CL32B475 数据手册

Samsung(三星)
Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列
Samsung(三星)
CL32 系列 1210 4.7 uF 50 V X7R ±10% 容差 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL32 系列 1210 4.7 uF 16 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
Samsung(三星)
1210 X7R 475K(4.7uF) 100V ±10% 厚度2.5mm
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
Samsung(三星)
贴片电容 1210 X7R 475K(4.7uF) 50V ±10% 厚度1.8mm
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