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CPC5602CTR
0.305
CPC5602CTR 数据手册 (5 页)
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CPC5602CTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
350 V
额定电流
5.00 mA
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
2.5 W
输入电容
300 pF
漏源极电压(Vds)
350 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 mA
输入电容值(Ciss)
300pF @0V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

CPC5602CTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

CPC5602CTR 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.1 MByte
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.12 MByte
IXYS Semiconductor
1 页 / 0.18 MByte

CPC5602 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
CPC 系列 350 V 5 mA N 沟道 表面贴装 耗尽型 FET - SOT-223
Clare
CLARE  CPC5602C  场效应管, MOSFET, N沟道, 耗尽型, 350V, 8Ω, 5MA, SOT-223-4, 整卷
Clare
N沟道枯竭FET模式 •低电阻为10欧姆•高输入阻抗•低输入和输出泄漏•支持组件LITELINK数据访问安排(DAA)•常开开关•电信•恒流源
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Littelfuse(力特)
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