￥ 0.394

CSD13202Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WSON-FET-6

描述:

N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD13202Q2 数据手册 (11 页)

封装尺寸在6 页 9 页

CSD13202Q2 数据手册 (11 页)

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CSD13202Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WSON-FET-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.7 W

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

22A

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

997pF @6V(Vds)

下降时间

13.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7W (Ta)

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CSD13202Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD13202Q2 符合标准

CSD13202Q2 概述

CSD13202Q2 数据手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.69 MByte

CSD13202Q2 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.41 MByte

CSD13202Q2 产品修订记录

TI（德州仪器）

3 页 / 0.14 MByte

CSD13202 数据手册

CSD13202Q2 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）

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