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器件3D模型
¥ 0.183
CSD15380F3T 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
PICOSTAR-3
描述:
TEXAS INSTRUMENTS CSD15380F3T 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 20 V, 0.99 ohm, 8 V, 1.1 V 新
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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引脚图
在
8 页
Hot
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在
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CSD15380F3T 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
PICOSTAR-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.99 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
1.1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.5A
上升时间
1 ns
输入电容值(Ciss)
8.1pF @10V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW
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CSD15380F3T 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD15380F3T 符合标准
CSD15380F3T 海关信息
CSD15380F3T 概述
●
表面贴装型 N 通道 20 V 500mA(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
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CSD15380F3T 数据手册
CSD15380F3T
数据手册
TI(德州仪器)
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CSD15380F3 数据手册
CSD15380F3
数据手册
TI(德州仪器)
20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、1460mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
CSD15380F3
T
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD15380F3T 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 20 V, 0.99 ohm, 8 V, 1.1 V 新
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