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CSD16342Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-FET-8

描述:

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD16342Q5A 数据手册 (13 页)

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CSD16342Q5A 数据手册 (13 页)

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CSD16342Q5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-FET-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0038 Ω

极性

N-Channel

功耗

3 W

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

25 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

16.6 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max)

3 W

下降时间

3.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta)

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CSD16342Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.8 mm

宽度

5 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD16342Q5A 符合标准

CSD16342Q5A 海关信息

CSD16342Q5A 概述

CSD16342Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 2.67 MByte

CSD16342Q5A 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 2.68 MByte

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