￥ 0.357

CSD17308Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-Clip-8

描述:

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD17308Q3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD17308Q3 数据手册 (13 页)

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CSD17308Q3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0094 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.7 W

阈值电压

1.3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

5.7 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.7 W

下降时间

2.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7W (Ta)

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CSD17308Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.4 mm

宽度

3.4 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD17308Q3 符合标准

CSD17308Q3 概述

CSD17308Q3 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.39 MByte

CSD17308Q3 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

101 页 / 5.8 MByte

CSD17308Q3 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

3 页 / 0.18 MByte

CSD17308Q3 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

CSD17308Q3 产品修订记录

TI（德州仪器）

5 页 / 0.17 MByte

CSD17308 数据手册

CSD17308Q3 数据手册

TI（德州仪器）

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17308Q3T 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD17308Q3T 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0082 ohm, 8 V, 1.3 V 新

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