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器件3D模型
¥ 1.541
CSD17313Q2 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
WSON-FET-6
描述:
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CSD17313Q2 数据手册 (38 页)
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CSD17313Q2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
WSON-FET-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.3 W
阈值电压
1.3 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
上升时间
3.9 ns
输入电容值(Ciss)
340pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.3 W
下降时间
1.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.3W (Ta)
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CSD17313Q2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
2 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17313Q2 符合标准
CSD17313Q2 概述
●
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
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CSD17313Q2
数据手册
TI(德州仪器)
38 页 / 1.43 MByte
CSD17313Q2
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
101 页 / 5.8 MByte
CSD17313Q2
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
1 页 / 0.11 MByte
CSD17313Q2
开发手册
TI(德州仪器)
18 页 / 1.33 MByte
CSD17313Q2
产品修订记录
TI(德州仪器)
3 页 / 0.14 MByte
CSD17313 数据手册
CSD17313
Q2
数据手册
TI(德州仪器)
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17313
Q2Q1
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2Q1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
CSD17313
Q2T
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2T 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新
CSD17313
Q2Q1T
数据手册
TI(德州仪器)
场效应管(MOSFET) CSD17313Q2Q1T WSON-6(2x2)
CSD17313
Q2-Q1
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TI(德州仪器)
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Q2
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