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CSD17381F4
0.193
CSD17381F4 数据手册 (13 页)
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CSD17381F4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
PICOSTAR-3
极性
N-CH
功耗
0.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
3.1A
上升时间
1.4 ns
输入电容值(Ciss)
195pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
下降时间
3.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

CSD17381F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1 mm
宽度
0.6 mm
高度
0.35 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17381F4 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.58 MByte
TI(德州仪器)
26 页 / 1.17 MByte

CSD17381 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17381F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 30 V, 0.084 ohm, 8 V, 850 mV
TI(德州仪器)
N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17381F4
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