￥ 0.188

CSD17382F4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.0 x 0.6mm、67mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

CSD17382F4 数据手册 (14 页)

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CSD17382F4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

极性

N-CH

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.3A

上升时间

111 ns

输入电容值(Ciss)

347pF @15V(Vds)

下降时间

270 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

CSD17382F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17382F4 符合标准

CSD17382F4 海关信息

CSD17382F4 概述

CSD17382F4 数据手册

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CSD17382F4T 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD17382F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新

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