￥ 0.512

CSD17382F4T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD17382F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD17382F4T 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD17382F4T 数据手册 (13 页)

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CSD17382F4T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.054 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.3A

上升时间

111 ns

输入电容值(Ciss)

347pF @15V(Vds)

下降时间

270 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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CSD17382F4T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1 mm

宽度

0.64 mm

高度

0.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD17382F4T 符合标准

CSD17382F4T 海关信息

CSD17382F4T 概述

CSD17382F4T 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.57 MByte

CSD17382F4T 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.62 MByte

CSD17382F4T 产品修订记录

TI（德州仪器）

10 页 / 0.32 MByte

CSD17382F4 数据手册

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30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.0 x 0.6mm、67mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

CSD17382F4T 数据手册

TI（德州仪器）

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