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CSD17484F4T
0.494
CSD17484F4T 数据手册 (13 页)
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CSD17484F4T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
PICOSTAR-3
漏源极电阻
0.099 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
850 mV
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
1 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @15V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

CSD17484F4T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.04 mm
宽度
0.64 mm
高度
0.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17484F4T 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.56 MByte
TI(德州仪器)
15 页 / 1.13 MByte

CSD17484F4 数据手册

TI(德州仪器)
CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET
TI(德州仪器)
N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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