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Datasheet 搜索 > MOS管 > TI(德州仪器) > CSD17551Q5A Datasheet 文档
CSD17551Q5A
5.754

CSD17551Q5A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.007 Ω
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
13.5A
上升时间
15.5 ns
输入电容值(Ciss)
1272pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
4.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta)

CSD17551Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
4.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17551Q5A 数据手册

TI(德州仪器)
9 页 / 0.28 MByte

CSD17551Q5 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17551Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V
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