CSD17559Q5 数据手册 - TI（德州仪器）

●这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

●顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值

●。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

● 极低电阻

● 超低 Qg 和 Qgd

● 低热阻

● 雪崩级

● 无铅端子镀层

● 符合 RoHS 标准

● 无卤素

● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

●## 应用范围

● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

● 同步整流

● 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用