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Datasheet 搜索 > MOS管 > TI(德州仪器) > CSD17570Q5B Datasheet 文档
CSD17570Q5B
1.373

CSD17570Q5B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSON-Clip-8
极性
N-CH
功耗
3.2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
36 ns
输入电容值(Ciss)
13600pF @15V(Vds)
下降时间
74 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.2W (Ta)

CSD17570Q5B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17570Q5B 数据手册

TI(德州仪器)
15 页 / 1.15 MByte
TI(德州仪器)
16 页 / 1.26 MByte

CSD17570Q5 数据手册

TI(德州仪器)
30V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17570Q5B
TI(德州仪器)
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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