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CSD17575Q3
0.557
CSD17575Q3 数据手册 (13 页)
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CSD17575Q3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSON-Clip-8
极性
N-CH
功耗
2.8 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
60A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
4420pF @15V(Vds)
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 108W (Tc)

CSD17575Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17575Q3 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.43 MByte
TI(德州仪器)
8 页 / 0.39 MByte

CSD17575 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17575Q3T  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.4 V
TI(德州仪器)
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、3.2mΩ 8-VSON-CLIP
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