￥ 0.114

CSD17579Q3A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSONP-8

描述:

CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD17579Q3A 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD17579Q3A 数据手册 (13 页)

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CSD17579Q3A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSONP-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

11.8 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.5 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

998pF @15V(Vds)

下降时间

1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 29W (Tc)

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CSD17579Q3A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.15 mm

宽度

3 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD17579Q3A 符合标准

CSD17579Q3A 概述

CSD17579Q3A 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.67 MByte

CSD17579Q3A 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.67 MByte

CSD17579Q3 数据手册

CSD17579Q3AT 数据手册

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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

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CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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