￥ 1.775

CSD18501Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-8

描述:

40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18501Q5A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18501Q5A 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18501Q5A 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD18501Q5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

3840pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

3.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 150W (Tc)

查看数据手册 >

CSD18501Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5.8 mm

宽度

5 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD18501Q5A 符合标准

CSD18501Q5A 概述

CSD18501Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.72 MByte

CSD18501Q5 数据手册

CSD18501Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18501Q5A

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号