￥ 1.605

CSD18509Q5BT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-Clip-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18509Q5BT 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18509Q5BT 数据手册 (13 页)

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CSD18509Q5BT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.001 Ω

极性

N-Channel

功耗

195 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

10700pF @20V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

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CSD18509Q5BT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

5 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18509Q5BT 符合标准

CSD18509Q5BT 概述

CSD18509Q5BT 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.44 MByte

CSD18509Q5BT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.48 MByte

CSD18509Q5BT 产品修订记录

TI（德州仪器）

8 页 / 0.41 MByte

CSD18509Q5 数据手册

CSD18509Q5BT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V

CSD18509Q5B 数据手册

TI（德州仪器）

40V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5B

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