￥ 2.094

CSD18532KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18532KCS 数据手册 (11 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页

CSD18532KCS 数据手册 (11 页)

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CSD18532KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0033 Ω

极性

N-Channel

功耗

216 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

169A

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

4680pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

216 W

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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CSD18532KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD18532KCS 符合标准

CSD18532KCS 海关信息

CSD18532KCS 概述

CSD18532KCS 数据手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.73 MByte

CSD18532KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

10 页 / 0.9 MByte

CSD18532KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

CSD18532 数据手册

CSD18532KCS 数据手册

TI（德州仪器）

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET

CSD18532NQ5BT 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD18532NQ5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新

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