￥ 1.141

CSD18532Q5B 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-Clip-8

描述:

60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18532Q5B 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 12 页

CSD18532Q5B 数据手册 (14 页)

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CSD18532Q5B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.2 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

7.2 ns

输入电容值(Ciss)

5070pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

3.2 W

下降时间

3.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

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CSD18532Q5B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6 mm

宽度

5 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18532Q5B 符合标准

CSD18532Q5B 海关信息

CSD18532Q5B 概述

CSD18532Q5B 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.85 MByte

CSD18532Q5B 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

6 页 / 0.38 MByte

CSD18532Q5B 产品修订记录

TI（德州仪器）

8 页 / 0.41 MByte

CSD18532Q5 数据手册

CSD18532Q5BT 数据手册

TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET

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