￥ 0.981

CSD18533KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET ..

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18533KCS 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

CSD18533KCS 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD18533KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.005 Ω

极性

N-Channel

功耗

160 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

114A

上升时间

4.8 ns

输入电容值(Ciss)

3025pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

192W (Tc)

查看数据手册 >

CSD18533KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD18533KCS 符合标准

CSD18533KCS 概述

CSD18533KCS 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.64 MByte

CSD18533KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

5 页 / 0.3 MByte

CSD18533KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

CSD18533 数据手册

CSD18533Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A

CSD18533KCS 数据手册

TI（德州仪器）

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET ..

CSD18533Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.9mΩ 8-VSONP -55 to 150

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号