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CSD18536KTT
4.548
CSD18536KTT 数据手册 (13 页)
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CSD18536KTT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
375 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
200A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
11430pF @30V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375W (Tc)

CSD18536KTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

CSD18536KTT 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.4 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.04 MByte

CSD18536 数据手册

TI(德州仪器)
CSD18536KCS 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、1.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD18536KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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