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CSD18537NQ5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18537NQ5A 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 12 页

CSD18537NQ5A 数据手册 (14 页)

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CSD18537NQ5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.01 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.2 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

1480pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 75W (Tc)

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CSD18537NQ5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6 mm

宽度

4.9 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18537NQ5A 符合标准

CSD18537NQ5A 概述

CSD18537NQ5A 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.67 MByte

CSD18537NQ5A 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

54 页 / 6.34 MByte

CSD18537NQ5 数据手册

CSD18537NQ5A 数据手册

TI（德州仪器）

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18537NQ5AT 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

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