￥ 1.703

CSD18542KTT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

CSD18542KTT 数据手册 (14 页)

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CSD18542KTT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

4.0 mΩ

极性

N-CH

功耗

250 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

5070pF @30V(Vds)

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

CSD18542KTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

9.25 mm

高度

4.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

CSD18542KTT 符合标准

CSD18542KTT 海关信息

CSD18542KTT 概述

CSD18542KTT 数据手册

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