￥ 1.165

CSD19502Q5B 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-Clip-8

描述:

N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19502Q5B 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 12 页

CSD19502Q5B 数据手册 (14 页)

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CSD19502Q5B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0034 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.2 W

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

4870pF @40V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

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CSD19502Q5B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19502Q5B 符合标准

CSD19502Q5B 概述

CSD19502Q5B 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.81 MByte

CSD19502Q5B 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

9 页 / 3.2 MByte

CSD19502Q5B 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.84 MByte

CSD19502Q5B 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

CSD19502Q5B 产品修订记录

TI（德州仪器）

6 页 / 0.33 MByte

CSD19502Q5 数据手册

CSD19502Q5B 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B

CSD19502Q5BT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新

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