￥ 1.006

CSD19531Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-FET-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD19531Q5A 数据手册 (16 页)

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CSD19531Q5A 数据手册 (16 页)

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CSD19531Q5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-FET-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0053 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.3 W

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

5.8 ns

输入电容值(Ciss)

3870pF @50V(Vds)

下降时间

5.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

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CSD19531Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19531Q5A 符合标准

CSD19531Q5A 概述

CSD19531Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

16 页 / 1.25 MByte

CSD19531Q5A 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

7 页 / 1.75 MByte

CSD19531Q5 数据手册

CSD19531Q5A 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

CSD19531Q5AT 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

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