￥ 2.399

CSD19532Q5BT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-CLIP

描述:

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.9mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

CSD19532Q5BT 数据手册 (13 页)

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CSD19532Q5BT 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

VSON-CLIP

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

4810pF @50V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

CSD19532Q5BT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD19532Q5BT 符合标准

CSD19532Q5BT 海关信息

CSD19532Q5BT 数据手册

CSD19532Q5BT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.84 MByte

CSD19532Q5BT 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

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N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B

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TI（德州仪器）

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.9mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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