￥ 1.565

CSD19533KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19533KCS 数据手册 (11 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页

CSD19533KCS 数据手册 (11 页)

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CSD19533KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0087 Ω

极性

N-Channel

功耗

188 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2670pF @50V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

188W (Tc)

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CSD19533KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD19533KCS 符合标准

CSD19533KCS 概述

CSD19533KCS 数据手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.66 MByte

CSD19533KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

5 页 / 0.3 MByte

CSD19533KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

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100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A

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100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150

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