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CSD19533Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-FET-8

描述:

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19533Q5A 数据手册 (16 页)

封装尺寸在9 页 12 页 14 页 15 页

CSD19533Q5A 数据手册 (16 页)

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CSD19533Q5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-FET-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0078 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.2 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

2670pF @50V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 96W (Tc)

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CSD19533Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19533Q5A 符合标准

CSD19533Q5A 概述

CSD19533Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

16 页 / 1.28 MByte

CSD19533Q5A 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 1.08 MByte

CSD19533Q5 数据手册

CSD19533Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A

CSD19533Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150

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