￥ 3.053

CSD19536KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19536KCS 数据手册 (12 页)

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封装尺寸在9 页 10 页

CSD19536KCS 数据手册 (12 页)

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CSD19536KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

极性

N-Channel

功耗

375 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

150A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

375 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

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CSD19536KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD19536KCS 符合标准

CSD19536KCS 海关信息

CSD19536KCS 概述

CSD19536KCS 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.39 MByte

CSD19536KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

4 页 / 0.21 MByte

CSD19536KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

6 页 / 0.25 MByte

CSD19536 数据手册

CSD19536KCS 数据手册

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100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS

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CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

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