器件3D模型

￥ 0.391

CSD19538Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WSON-6

描述:

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、59mΩ 6-WSON -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19538Q2 数据手册 (8 页)

封装尺寸在1 页 13 页

CSD19538Q2 数据手册 (15 页)

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CSD19538Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WSON-6

极性

N-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

454pF @50V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

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CSD19538Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19538Q2 符合标准

CSD19538Q2 海关信息

CSD19538Q2 概述

CSD19538Q2 数据手册

TI（德州仪器）

8 页 / 0.46 MByte

CSD19538Q2 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.38 MByte

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