￥ 1.088

CSD19538Q2T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WSON-FET-6

描述:

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19538Q2T 数据手册 (14 页)

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CSD19538Q2T 数据手册 (14 页)

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CSD19538Q2T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WSON-FET-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.049 Ω

极性

N-Channel

功耗

23 W

阈值电压

3.2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

14.4A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

349pF @50V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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CSD19538Q2T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19538Q2T 符合标准

CSD19538Q2T 海关信息

CSD19538Q2T 概述

CSD19538Q2T 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.38 MByte

CSD19538Q2T 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

25 页 / 1.94 MByte

CSD19538Q2 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、59mΩ 6-WSON -55 to 150

CSD19538Q2T 数据手册

TI（德州仪器）

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装

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