器件3D模型

￥ 4.741

CSD23202W10T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-4

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD23202W10T 数据手册 (12 页)

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封装尺寸在8 页 10 页

CSD23202W10T 数据手册 (12 页)

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CSD23202W10T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

DSBGA-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.044 Ω

极性

P-Channel

功耗

1 W

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

2.2A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

512pF @6V(Vds)

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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CSD23202W10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD23202W10T 符合标准

CSD23202W10T 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.42 MByte

CSD23202W10T 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

31 页 / 0.79 MByte

CSD23202W10 数据手册

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CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET

CSD23202W10T 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV

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