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CSD23203W
器件3D模型
0.167
CSD23203W 数据手册 (12 页)
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CSD23203W 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
DSBGA-6
极性
P-CH
功耗
0.75 W
漏源极电压(Vds)
8 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
914pF @4V(Vds)
额定功率(Max)
750 mW
下降时间
27 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750mW (Ta)

CSD23203W 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD23203W 数据手册

TI(德州仪器)
12 页 / 0.35 MByte
TI(德州仪器)
15 页 / 0.88 MByte
TI(德州仪器)
10 页 / 0.32 MByte

CSD23203 数据手册

TI(德州仪器)
CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD23203WT  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV
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