器件3D模型

￥ 1.181

CSD23203WT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-6

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD23203WT 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD23203WT 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD23203WT 数据手册 (12 页)

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CSD23203WT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

DSBGA-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0162 Ω

极性

P-Channel

功耗

750 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

8 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

914pF @4V(Vds)

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

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CSD23203WT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1 mm

宽度

1.49 mm

高度

0.28 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD23203WT 符合标准

CSD23203WT 概述

CSD23203WT 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.35 MByte

CSD23203WT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

8 页 / 0.46 MByte

CSD23203WT 产品修订记录

TI（德州仪器）

10 页 / 0.32 MByte

CSD23203 数据手册

CSD23203W 数据手册

TI（德州仪器）

CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD23203WT 数据手册

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