￥ 0.048

CSD23280F3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD23280F3 数据手册 (14 页)

引脚图在8 页Hot

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CSD23280F3 数据手册 (14 页)

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CSD23280F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

极性

P-CH

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

1.8A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

180pF @6V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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CSD23280F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD23280F3 符合标准

CSD23280F3 海关信息

CSD23280F3 概述

CSD23280F3 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 1.06 MByte

CSD23280F3 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.34 MByte

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CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET

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TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新

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