器件3D模型

￥ 0.154

CSD25213W10 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-4

描述:

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25213W10

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD25213W10 数据手册 (9 页)

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封装尺寸在6 页 8 页

CSD25213W10 数据手册 (9 页)

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CSD25213W10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

DSBGA-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

67 mΩ

极性

P-CH

功耗

1 W

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.6A

上升时间

520 ns

输入电容值(Ciss)

478pF @10V(Vds)

下降时间

970 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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CSD25213W10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1 mm

宽度

1 mm

高度

0.62 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD25213W10 符合标准

CSD25213W10 概述

CSD25213W10 数据手册

TI（德州仪器）

9 页 / 0.67 MByte

CSD25213W10 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

64 页 / 0.6 MByte

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TI（德州仪器）

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25213W10

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