器件3D模型

￥ 0.211

CSD25304W1015 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-6

描述:

CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD25304W1015 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD25304W1015 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD25304W1015 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

DSBGA-6

极性

P-CH

功耗

0.75 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

595pF @10V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

750mW (Ta)

查看数据手册 >

CSD25304W1015 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD25304W1015 符合标准

CSD25304W1015 概述

CSD25304W1015 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.4 MByte

CSD25304 数据手册

CSD25304W1015T 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD25304W1015T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -800 mV

CSD25304W1015 数据手册

TI（德州仪器）

CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号