CSD25310Q2

￥ 0.17

CSD25310Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WSON-FET-6

描述:

20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD25310Q2 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 12 页

CSD25310Q2 数据手册 (14 页)

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CSD25310Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WSON-FET-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0199 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.9 W

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

655pF @10V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

耗散功率(Max)

2.9W (Ta)

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CSD25310Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD25310Q2 符合标准

CSD25310Q2 概述

CSD25310Q2 数据手册

CSD25310Q2 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.75 MByte

CSD25310Q2 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

3 页 / 0.19 MByte

CSD25310Q2 产品修订记录

TI（德州仪器）

3 页 / 0.14 MByte

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20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2

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