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CSD25480F3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

SLPS579 可用文献编号

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

CSD25480F3 数据手册 (13 页)

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CSD25480F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

极性

P-CH

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.7A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

119pF @10V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

CSD25480F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD25480F3 符合标准

CSD25480F3 海关信息

CSD25480F3 概述

CSD25480 数据手册

CSD25480F3 数据手册

TI（德州仪器）

SLPS579 可用文献编号

CSD25480F3T 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD25480F3T 晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV 新

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