输入电容值(Ciss)
119pF @10V(Vds)
●这款 –20V、110mΩ、P 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 超小尺寸
● 0.73mm x 0.64mm
● 薄型
● 最大高度为 0.35mm
● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
● 电池 应用
● 手持式和移动类 应用
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD25480F3T 晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV 新
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