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器件3D模型
¥ 0.497
CSD25484F4T 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
PICOSTAR-3
描述:
P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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引脚图
在
8 页
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封装尺寸
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CSD25484F4T 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
PICOSTAR-3
极性
P-Channel
功耗
0.5 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
230pF @10V(Vds)
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW
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CSD25484F4T 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.04 mm
宽度
0.64 mm
高度
0.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD25484F4T 符合标准
CSD25484F4T 概述
●
P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
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TI(德州仪器)
CSD25484F4 20V P 通道 FemtoFET™ MOSFET
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T
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P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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