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CSD85301Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WSON-FET-6

描述:

CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD85301Q2 数据手册 (15 页)

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CSD85301Q2 数据手册 (15 页)

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CSD85301Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WSON-FET-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

27 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.3 W

阈值电压

600 mV, 600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

±20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

469pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

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CSD85301Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD85301Q2 符合标准

CSD85301Q2 概述

CSD85301Q2 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 1.13 MByte

CSD85301Q2 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

16 页 / 1.13 MByte

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TEXAS INSTRUMENTS CSD85301Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

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CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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