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CSD87312Q3E-ASY
器件3D模型
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CSD87312Q3E-ASY 数据手册 (10 页)
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CSD87312Q3E-ASY 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
VSON
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
27A

CSD87312Q3E-ASY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Pre-Release

CSD87312Q3E-ASY 数据手册

TI(德州仪器)
10 页 / 0.23 MByte

CSD87312Q3 数据手册

TI(德州仪器)
双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
TI(德州仪器)
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