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器件3D模型
¥ 2.04
CSD87351ZQ5D 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
LSON-CLIP-8
描述:
同步降压NexFET功率模块 Synchronous Buck NexFET Power Block
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD87351ZQ5D 数据手册 (22 页)
封装尺寸
在
15 页
18 页
20 页
21 页
典型应用电路图
在
11 页
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CSD87351ZQ5D 数据手册 (22 页)
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CSD87351ZQ5D 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
LSON-CLIP-8
功耗
12000 mW
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
1255pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
12 W
下降时间
4.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
12000 mW
电源电压(Max)
8 V
电源电压(Min)
4.5 V
查看数据手册 >
CSD87351ZQ5D 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
CSD87351ZQ5D 符合标准
CSD87351ZQ5D 概述
●
此 CSD87351ZQ5D NexFET 电源块是满足同步降压应用的优化设计,能够在 5mm × 6mm 的小外形尺寸封装内提供高电流,高效率和高频率性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,可提供高度灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时,均可提供高密度电源。
●
半桥电源块
●
20A 电流下 90% 的系统效率
●
高达 32A 的工作电流
●
高频率工作(高达 1.5MHz)
●
高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
●
针对 5V 栅极驱动而优化
●
低开关损耗
●
超低电感封装
●
符合 RoHS 标准
●
无卤素
●
无铅端子电镀
●
经提升的静电放电 (ESD) 保护性能
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CSD87351ZQ5D 数据手册
CSD87351ZQ5D
数据手册
TI(德州仪器)
22 页 / 1.46 MByte
CSD87351ZQ5D
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
19 页 / 0.66 MByte
CSD87351ZQ5D
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
25 页 / 1.94 MByte
CSD87351ZQ5 数据手册
CSD87351ZQ5
D
数据手册
TI(德州仪器)
同步降压NexFET功率模块 Synchronous Buck NexFET Power Block
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