器件3D模型

￥ 0.401

CSD88539ND 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD88539ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD88539ND 数据手册 (14 页)

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CSD88539ND 数据手册 (14 页)

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CSD88539ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2.1 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

15A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

741pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2100 mW

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CSD88539ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD88539ND 符合标准

CSD88539ND 概述

CSD88539ND 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.98 MByte

CSD88539ND 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.93 MByte

CSD88539 数据手册

CSD88539ND 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD88539ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

CSD88539NDT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD88539NDT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

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