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器件3D模型
¥ 26.321
CSD97396Q4M 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
DC/DC转换器
封装:
VSON-Clip-8
描述:
CSD97396Q4M 同步降压 NexFET™ 功率级
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD97396Q4M 数据手册 (20 页)
引脚图
在
3 页
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封装尺寸
在
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在
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在
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CSD97396Q4M 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSON-Clip-8
输出接口数
1 Output
输出电压
1.8 V
输出电流
30 A
功耗
8 W
上升时间
60 ns
开关频率
2000 kHz
输入电压(Max)
24 V
输入电压(Min)
4.5 V
输出电流(Max)
30 A
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
8000 mW
电源电压
4.5V ~ 5.5V
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CSD97396Q4M 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃
查看数据手册 >
CSD97396Q4M 符合标准
CSD97396Q4M 海关信息
CSD97396Q4M 概述
●
CSD97396Q4M NexFET功率级的设计经过高度优化,适用于高功率、高密度同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入,静态电流可减少至 130μA,并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时,电流可减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。这个组合在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现具有高电流、高效和高速开关功能的器件。此外,印刷电路板 (PCB) 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。
●
15A 电流下超过 93% 的系统效率
●
最大额定持续电流 30A,峰值 65A
●
高频运行(高达 2MHz)
●
高密度 – 3.5mm × 4.5mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
●
超低电感封装
●
系统优化的 PCB 封装
●
超低静态 (ULQ) 电流模式
●
与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
●
支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
●
输入电压高达 24V
●
三态 PWM 输入
●
集成型自举二极管
●
击穿保护
●
符合 RoHS 绿色环保标准-无铅引脚镀层
●
无卤素
●
## 应用范围
●
超级本/笔记本 DC/DC 转换器
●
多相 Vcore 和 DDR 解决方案
●
在网络互联、电信、和计算系统中的负载点同步降压
●
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CSD97396Q4M 数据手册
CSD97396Q4M
数据手册
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CSD97396Q4M
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CSD97396Q4 数据手册
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TI(德州仪器)
CSD97396Q4M 同步降压 NexFET™ 功率级
CSD97396Q4
MT
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD97396Q4MT 芯片, 同步降压稳压器, FET, 功率级, 5.5V, VSON-8
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