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D45H11FP
0.63
D45H11FP 数据手册 (9 页)
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D45H11FP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
PNP
功耗
36 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
36 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
36000 mW

D45H11FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

D45H11FP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.18 MByte

D45H11 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 60 W, -10 A, 60 hFE
Multicomp
MULTICOMP  D45H11  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 15 MHz, 50 W, -10 A, 60 hFE
Boca Semiconductor(博卡半导体)
Motorola(摩托罗拉)
Rectron Semiconductor
Central Semiconductor
Intersil(英特矽尔)
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